特許
J-GLOBAL ID：200903019858197358
化学気相成長装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235962
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074758
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 反応ガスを安定して供給することにより、各半導体ウエハに同じ厚みで薄膜を形成することが可能な化学気相成長装置を得る。【構成】 常温で液状である反応材料6を所定の温度に保持して収容するタンク5内にキャリアガスN2 を供給してバブリングにより反応材料6を気化させて反応ガスを生成し、加熱保持された被処理部材11が収容されるチャンバ10内に供給するようにした化学気相成長装置において、タンク5からチャンバ10に至る反応ガスの通路14の途中にタンク1内の保持温度より所定の値以下の温度に設定された熱交換器5を配設し、反応ガスの一部を再液化する。
請求項（抜粋）：
常温で液状である反応材料を所定の温度に保持して収容するタンク内にキャリアガスを供給してバブリングにより上記反応材料を気化させて反応ガスを生成し、加熱保持された被処理部材が収容されるチャンバ内に供給するようにした化学気相成長装置において、上記タンクから上記チャンバに至る上記反応ガスの通路の途中に上記タンク内の保持温度より所定の値以下の温度に設定された熱交換器を配設し、上記反応ガスの一部を再液化するようにしたことを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 16/44
, H01L 21/205
