特許

J-GLOBAL ID：200903019859429864

電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 二瓶 瑞久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323850
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134736
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス量を増大させることなく、所期のしきい値Vthを安定して精度良く得る。【解決手段】 半導体層4上に形成するゲート電極8を、半導体層4と金属膜との反応層5、金属酸化膜6、及び、金属層7を順次積層させた積層構造で構成する。

請求項（抜粋）：

半導体層上に形成するゲート電極を、前記半導体層と金属膜との反応層、金属酸化膜、及び、金属層を順次積層させた積層構造で構成することを特徴とする電界効果型化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/417

FI (4件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/50 J ,  H01L 29/80 M

Fターム (45件)：

4M104AA05 ,  4M104BB10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104DD88 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102GA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS00 ,  5F102GS01 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GT10 ,  5F102HC01 ,  5F102HC17 ,  5F102HC21 ,  5F102HC24