特許
J-GLOBAL ID：200903019859769940
強磁性薄膜型磁気抵抗素子とそれを用いたセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301460
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152002
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 強磁性薄膜型磁気抵抗素子の回路構成に関し、周囲雰囲気の温度変化に対応して変動し易い磁気抵抗出力を自動的に補償せしめて磁界の高精度検出と生産性向上を図ることを目的とする。【構成】 着磁ピッチλで多極着磁されている磁気記録媒体の該着磁面に対面して配置され、該着磁面からの漏洩磁界を該着磁面と対面する面に形成されている強磁性薄膜からなる磁界検出パターンで検出する強磁性薄膜型磁気抵抗素子であって、磁界検出パターン形成面の該磁界検出パターン近傍に、該磁界検出パターン21と等しい材質からなる同じ幅・厚さで長さを短くして抵抗値のみを変えた2本の温度補償パターン31を、“(2n-1) ・λ/4 但しnは正の整数”を満足させる間隔を保って上記磁界検出パターン21と平行する方向に形成して構成する。
請求項（抜粋）：
着磁ピッチλで多極着磁されている磁気記録媒体の該着磁面に対面して配置され、該着磁面からの漏洩磁界を該着磁面と対面する面に形成されている強磁性薄膜からなる磁界検出パターンで検出する強磁性薄膜型磁気抵抗素子であって、磁界検出パターン形成面の該磁界検出パターン近傍に、該磁界検出パターン(21)と等しい材質からなる同じ幅・厚さで長さを短くして抵抗値のみを変えた2本の温度補償パターン(31)が、“(2n-1) ・λ/4 但しnは正の整数”を満足させる間隔を保って上記磁界検出パターン(21)と平行する方向に形成されて構成されていることを特徴とした強磁性薄膜型磁気抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01D 5/245
, G01B 7/00
