特許
J-GLOBAL ID：200903019859812544
有機ジスルフィド化合物を含有する電極とその製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038096
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241662
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 充放電に伴う電極容積の低下の抑制された有機ジスルフィド化合物を含む電極を提供する。【解決手段】 本発明による電極は、電解還元により硫黄-硫黄結合が開裂して硫黄-金属イオン(プロトンを含む)結合を生成し、電解酸化により硫黄-金属イオン結合が元の硫黄-硫黄結合を再生する有機ジスルフィド化合物と銀イオンからなる錯体、および前記有機ジスルフィド化合物と銅イオンからなる錯体を含有する。
請求項（抜粋）：
電解還元により硫黄-硫黄結合が開裂して硫黄-金属イオン(プロトンを含む)結合を生成し、電解酸化により硫黄-金属イオン結合が元の硫黄-硫黄結合を再生する有機ジスルフィド化合物と銀イオンからなる錯体、および前記有機ジスルフィド化合物と銅イオンからなる錯体を含有することを特徴とする電極。
IPC (4件)：
H01M 4/02
, G02F 1/155
, H01M 4/60
, H01M 10/40
H01M 4/02 A
, G02F 1/155
, H01M 4/60
, H01M 10/40 Z
