特許

J-GLOBAL ID：200903019860866208

固体電解質材料の製造方法及びそれを用いた固体電解質膜の製造方法

発明者： 西山 治男 ,  上野 晃 ,  相沢 正信
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086342
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 経済性、量産性、大面積適用容易な、低抵抗でかつ均質な薄膜が5〜150μmの範囲にて緻密な固体電解質薄膜の形成を提供する【解決手段】 ジルコニア(ZrO2)系、セリア(CeO2)系などの固体電解質材料において、固体電解質粉末の比表面積を0.2〜50m2/gとした。上記固体電解質材料で固体電解質スラリーを調整する工程と、固体電解質スラリーを電極基盤上に成膜する工程とを含むこととした。

請求項（抜粋）：

ジルコニア(ZrO2)系、セリア(CeO2)系などの固体電解質材料において、固体電解質粉末の比表面積を0.2〜50m2/gとすることを特徴とする固体電解質材料の製造方法。

IPC (5件)：

C04B 35/495 ,  C04B 41/87 ,  H01B 13/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12

FI (5件)：

C04B 35/00 J ,  C04B 41/87 C ,  H01B 13/00 Z ,  H01M 8/02 K ,  H01M 8/12