特許
J-GLOBAL ID：200903019860926596
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045553
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254748
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 簡単な工程により反射膜を形成し、製造歩留まりを向上する。【構成】 Au/Snろう材を表面に蒸着したSiサブマウント13上に、後面の共振器端面にAl2 O3 膜12を形成した半導体レーザチップ11を、活性層15が表面に近い側を下にして載せた後、Siサブマウント13を加熱してAu/Snろう材を溶融し、この溶融状態でSiサブマウント13上で半導体レーザチップ11を移動させることにより、半導体レーザチップ11のAl2 O3 膜12を形成した共振器端面にAu/Snろう材の盛り上がり部14を形成した。Au/Snろう材の盛り上がり部14が高反射膜の役割を果たし、半導体レーザの後面の共振器端面の反射率を非常に大きくすることができ、高出力の半導体レーザを高い製造歩留まりで得られる。
請求項（抜粋）：
光取り出し方向側とは反対の共振器端面に絶縁膜を有する半導体レーザチップをろう材を用いてサブマウントに接着した半導体レーザ装置であって、前記ろう材が前記共振器端面の活性層部分を前記絶縁膜を介して覆ったことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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