転写方法及び露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森聡
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999002941
公開番号（公開出願番号）：WO1999-065066
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 1999年12月16日
要約：

【要約】ゲートパターンのように線状パターンとこの端部の幅の広いパターンとからなるような回路パターンの像を高精度に露光する転写方法である。転写すべき回路パターンの原版パターンより、透過部(35)中にその原版パターンと実質的に同じ形状の遮光パターン(A1〜A3)が形成された第1のレチクルパターンと、遮光部(32)中にその遮光パターン(A1〜A3)中で投影光学系の解像限界程度の幅を有するパターン(A1a,A2a,A3a,A3b)に対応する部分を挟むように周期的に透過パターン(B1〜B3)が形成された第2のレチクルパターンとを作成する。円形の開口絞りからの照明光を用いて、第1のレチクルパターンの像を投影光学系を介してウエハ上に露光した後、変形照明のもとで第2のレチクルパターンの像を重ねてそのウエハ上に露光する。

請求項（抜粋）：

線状パターンを含む所定形状のパターンの像を投影光学系を介して基板上に転写する転写方法であって、前記所定形状のパターンに対応する部分が減光部とされ、その他の部分が透過部とされた第1のマスクパターンと、前記線状パターンに対応する部分に接するように、それぞれ前記線状パターンと実質的に同程度の線幅を有する複数個の透過パターンが前記線状パターンの幅方向に周期的に配列され、かつ、少なくとも前記線状パターンに対応する部分の近傍の前記透過パターン以外の領域が減光部とされた第2のマスクパターンとを用い、前記2つのマスクパターンの像を前記投影光学系を介して前記基板上に順次互いに位置合わせして転写すると共に、前記第2のマスクパターンの像を転写する際の照明条件を、照明光学系の転写対象のパターンに対する光学的フーリエ変換面での強度分布が、光軸近傍よりもこの外側の領域で強い変形照明とすることを特徴とする転写方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 512 , G03F 7/20 521

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