特許
J-GLOBAL ID：200903019874123348
水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267331
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120152
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】アモルファス半導体膜内の不安定な位置に存在する水素量を低減してその光劣化を低減し、導電率を向上する。【作用】成膜された水素ドープ非晶質半導体膜を水素プラズマによりアニールすると同時又はその前に、所定の運動エネルギを有する不活性原子,水素原子,前記アモルファス半導体膜の構成原子の少なくとも一つを前記アモルファス半導体膜の表面に衝突させて前記アモルファス半導体膜中の不安定水素濃度を低減する。すなわち、アモルファス半導体膜をスパッタすることにより、不安定位置にある水素は膜外へ容易に叩き出されたり又は水素と結合していない未結合手の位置に移動して未結合手を低減させる。また、上記スパッタにより新たに生じた未結合手はその後の又は同時の水素プラズマ処理により低減される。
請求項（抜粋）：
原料ガスを分解して基板上に水素原子がドープされたアモルファス半導体膜を堆積する堆積工程と、堆積された前記アモルファス半導体膜を水素プラズマ雰囲気に曝して前記アモルファス半導体膜の表面部の未結合手を低減する水素アニール工程とを有する水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法において、前記水素アニール工程と同時又はその前に、所定の運動エネルギを有する不活性原子,水素原子,前記アモルファス半導体膜の構成原子の少なくとも一つを前記アモルファス半導体膜の表面に衝突させて前記アモルファス半導体膜中の不安定水素濃度を低減するスパッタリング工程を備えることを特徴とする水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/324
, H01L 31/04
