特許
J-GLOBAL ID：200903019874622484
低温処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-089577
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326056
出願日： 1991年03月28日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】?@低温処理装置において、水分の露結を防止し、処理プロセスの信頼性を高める。?A磁場形成手段を有する低温処理装置において、被処理体の温度上昇や温度分布の不均一化に伴うプロセスの再現性の低下を防止して、良好な低温処理を実現する。【構成】?@温度0°Cまたはその近傍以下に被処理体を冷却して処理を行う低温処理装置において、処理室または予備室を3×10-5Torr以下に排気可能にする。?A電磁石1等の磁場形成手段を備えた低温処理装置において、磁場形成手段1と処理室10とを同一の冷却手段(冷媒通路4等)により冷却する構成にする。
請求項（抜粋）：
温度0°Cまたはその近傍以下に被処理体を冷却して処理を行う低温処理装置において、処理室または予備室を3×10-5Torr以下に排気可能にしたことを特徴とする低温処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23C 16/44
, C23F 4/00
, H01L 21/205
