特許

J-GLOBAL ID：200903019877459347

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

発明者： 西岡 浩一 ,  光岡 勝也 ,  成重 真治 ,  福井 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043480
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254115
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 感度を向上するための高抵抗かつ高飽和磁束密度の横バイアス膜をもつ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供すること。【構成】 磁気抵抗効果膜14への横バイアス膜として強磁性膜12と反強磁性膜13の積層膜を用い、強磁性膜12の磁化を検出電流と直交方向に向けると共に、飽和磁束密度Bsと比抵抗ρの積を[Bs・ρF≧60(T・μΩcm)]とし、反強磁性膜の比抵抗ρAFを[ρAF≧1(Ωcm)]となる膜を用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。【効果】 磁気抵抗効果膜14の分流比を大きくして、高感度でバイアス特性の安定した薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に検出電流を印加させる一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜に横方向バイアスを加える横バイアス膜とを備える磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記横バイアス膜を、比抵抗ρの大きな反強磁性膜と、飽和磁束密度Bs及び比抵抗ρが大きく且つ該反強磁性膜から交換結合バイアス磁界を受ける強磁性膜とを積層して構成したことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。