特許

J-GLOBAL ID：200903019877525692

積層組立体の形成方法

発明者： ファン ゾン,ヨアネス ベー アー デー ,  テウニセン,ヘラルドゥス エス アー エム
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-585914
公開番号（公開出願番号）：特表2002-531912
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2002年09月24日
要約：

【要約】凹部(107)を有する第一の層(105)と前記第一の層に堆積させた第二の層(117)を利用し、前記凹部が充填されている層の組立体の形成方法を開示する。第二の層の形成後、研磨処理を行い、平坦で滑らかな表面(119)を作る。前記第二の層を形成する前に、研磨処理に対して制止作用を有するように、第二の層の材料よりも一層抵抗のある材料を堆積させてることにより、中間層(109)を形成する。その研磨処理は前記中間層に到達した後に停止する。

請求項（抜粋）：

凹部を有する第一の層を利用し、前記凹部を充填する第二の層は材料を堆積させることにより形成され、平坦面を得るために研磨処理が行われる積層組立体の形成方法であって、第二の層を形成するに先立ち,研磨処理を制止する中間層は、第二の層の材料よりもより耐摩耗性のある材料を堆積させることにより第一の層に形成し、研磨処理が前記中間層に達した際に停止することを特徴とする形成方法。

IPC (3件)：

G11B 5/127 ,  G11B 5/31 ,  G11B 11/105 561

FI (3件)：

G11B 5/127 Q ,  G11B 5/31 M ,  G11B 11/105 561 Z

Fターム (6件)：

5D033DA11 ,  5D033DA31 ,  5D075CF10 ,  5D093FA15 ,  5D093FA22 ,  5D093FA30