特許
J-GLOBAL ID：200903019887936623
熱処理方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-330365
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083965
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 膜厚について面内均一性の高い熱処理を行なうこと。また被処理基板(ウエハW)の裏面側にも薄膜を形成すること。【解決手段】 載置台3に、昇降可能な第1の昇降ピン4と第2の昇降ピン5とを設け、第1の昇降ピン4は搬送ア-ム71とのウエハWの受け渡しを行なう第1の位置まで突出し、第2の昇降ピン5はウエハWの熱処理を行なう、載置台3から僅かに浮上した第2の位置まで突出するように構成する。先ず第1の位置で搬送ア-ム71から第1の昇降ピン4にウエハWを受け渡し、次いで第1の昇降ピン4を下降させてウエハWを載置台3上に載置して所定温度まで抵抗発熱体31により加熱する。続いて第2の昇降ピン5によりウエハWを第2の位置まで押し上げ、この位置でポリシリコン膜の成膜処理を行う。成膜ガスはウエハWの裏面側に回り込み、裏面側にもポリシリコン膜が形成される。
請求項（抜粋）：
被処理基板を処理室内に搬入して抵抗発熱体を備えた載置台の上に載置する工程と、次いで前記被処理基板を前記抵抗発熱体により加熱する工程と、その後前記被処理基板を前記載置台から僅かに浮上させて載置台からの輻射熱により加熱しながら、処理ガスを処理室内に供給して当該被処理基板に対して熱処理を行なう工程と、を備えたことを特徴とする熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, C23C 16/54
, H01L 21/68
H01L 21/205
, C23C 16/46
, C23C 16/54
, H01L 21/68 N
