特許
J-GLOBAL ID：200903019891458744
近接効果補正方法及び同方法に用いるパターン転写用マスク
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-245202
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090878
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 各ウェーハ毎の近接効果補正露光工程を省略でき、最小線幅が0.2μm 以下の高密度パターンをも高スループットで形成できる近接効果の補正方法を提供する。【解決手段】 レジスト塗布済のマスク基板を準備し(91)、この基板のレジスト上にEB描画によりマスクパターンを描く(92)。次に、別途作成しておいた近接効果補正用マスク(作成方法後述)を用いて(94)、パターン転写用マスクの補正露光を行う(93)。この際に、マスク上に形成されるパターンが、後のウェーハへのEB転写時の近接効果の分も上乗せして補正された(過剰補正された)ものとなるように、補正マスクのパターン及び露光量を決定する。その後、現像(95)、エッチング(96)を経て、近接効果補正織り込み済のパターン転写用マスクが完成する(97)。そして、このパターン転写用マスクを用いてウェーハ上へのEB転写を行う(98)。この際には、一回の転写露光で、近接効果補正をも含んだ露光を行うことができる。
請求項（抜粋）：
近接効果補正を過剰に行うことにより製作した、予め近接効果補正を織り込み済のパターン転写用マスクを用いてEB(電子ビーム)転写露光を行うことを特徴とする近接効果補正方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 S
