特許
J-GLOBAL ID：200903019898666865
半導体フォトデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245575
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077400
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】感度を向上させることのできる半導体フォトデバイスを提供する。【解決手段】基体2は、p型単結晶シリコンウエハからなる基板11と、その基板11の表面に形成されたn型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層12とから構成されている。アイソレーション層4は、P型単結晶シリコンからなり、エピタキシャル層12の所定箇所において、同層12の表面から基板11に連通して形成されている。そして、エピタキシャル層12におけるアイソレーション層4によって包囲された部分が受光部3となっている。埋込層5は、受光部3の表面に露出した状態で埋設されている。また、埋込層5には、一つの孔部5aと複数の溝部5bとが設けられている。各溝部5bは長孔状をなすスリットによって構成されている。このため、各溝部5bには、受光部3の一部からなる窓部14が略棒状に形成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体からなる基板の表層部に第2導電型半導体からなる受光部を備え、その受光部に光が入射することによって光起電力を発生する半導体フォトデバイスにおいて、前記基板上には、エピタキシャル成長によって形成された第2導電型半導体からなるエピタキシャル層を有し、前記受光部は、前記エピタキシャル層の表面から前記基板に連通して設けられた第1導電型半導体からなるアイソレーション層によって包囲された該エピタキシャル層の一部分からなり、該受光部には、前記アイソレーション層に連通する第1導電型半導体からなる埋込層が埋設され、その埋込層には、第2導電型半導体からなる複数の窓部が設けられていることを特徴とする半導体フォトデバイス。
Fターム (16件)：
5F049MA02
, 5F049MB02
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049NA04
, 5F049NA05
, 5F049PA09
, 5F049PA10
, 5F049QA03
, 5F049QA07
, 5F049QA11
, 5F049QA15
, 5F049RA06
, 5F049SE05
, 5F049SS03
, 5F049SZ13
