特許

J-GLOBAL ID：200903019907759456

レドックス活性電極およびその製造方法

発明者： 小山 昇 ,  波戸崎 修 ,  岩久 正裕
出願人/特許権者： 小山 昇
代理人 (1件)： 友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-026628
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214009
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、酸化還元可能な反応補助物質により導電性高分子化合物の酸化還元反応を促進し、これにより充放電速度等の特性が改良されたレドックス活性電極およびその製造方法を提供する点にある。【解決手段】 (A)酸化還元可能な導電性高分子化合物と(B)前記導電性高分子化合物が酸化応答と還元応答を示す電位範囲において酸化還元可能な反応補助物質とを含む組成物よりなることを特徴とするレドックス活性電極とその製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)酸化還元可能な導電性高分子化合物と(B)前記導電性高分子化合物が酸化応答と還元応答を示す電位範囲において酸化還元可能な反応補助物質とを含む組成物よりなることを特徴とするレドックス活性電極。

IPC (3件)：

H01M 4/60 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/04

FI (3件)：

H01M 4/60 ,  H01M 4/02 B ,  H01M 4/04 A