特許
J-GLOBAL ID：200903019908515968
半導体単結晶の製造装置および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326139
公開番号（公開出願番号）：特開平10-152389
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 CZ法による半導体単結晶の製造において、as-grown欠陥密度が低く、酸化膜耐圧特性の優れた半導体単結晶を得ることができるようにする。【解決手段】 融液5に近接して設けられた逆円錐台形状の熱遮蔽筒9の上方に、引き上げ中の単結晶12を取り囲む円筒状のアフタヒータ11と、前記アフタヒータ11と単結晶12との間にあって昇降可能な円筒状の保温筒13とを設ける。アフタヒータ11の出力と保温筒13の位置とを調整することにによって、単結晶12の熱履歴を制御する。これにより、炉内熱環境の変化に迅速に対応しつつ育成中の単結晶の温度勾配を制御することができる。そして、単結晶12の全長にわたって、1200°C〜1000°Cの温度領域に1時間以上保持しつつ単結晶12を引き上げる。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法による半導体単結晶製造装置において、引き上げ中の単結晶を取り囲む円筒状のアフタヒータと、前記アフタヒータと単結晶との間にあって昇降可能な円筒状の保温筒とを備えたことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
IPC (5件)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, H01L 21/208
C30B 15/00 Z
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502 C
, C30B 29/06 502 E
, H01L 21/208 P
