特許
J-GLOBAL ID：200903019911622449
磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360614
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182151
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 狭トラック化に適したシ-ルドタイプの磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供することにある。【構成】 第1のシ-ルドである磁性基板11と第2のシ-ルド20である軟磁性材21間にシ-ルドギャップ16,20を介してMR素子19を配置したヘッド構成であり、特に、磁性基板11に、絶縁膜14を介して導電材15を所定のトラック幅を形成するように埋設し、この導電材とMR素子19とを接触させて、その接触部を電極部15a,15aとする。こうすることにより、電極の厚みによる実効トラックへの影響を少なくする。
請求項（抜粋）：
少なくとも、磁性材から成る第1及び第2のシ-ルド間に絶縁層から成るシ-ルドギャップを介して磁気抵抗素子を配置し、この磁気抵抗素子に所定のトラック幅を形成するように第1及び第2の電極部を接続し、バイアス印加手段によりバイアス磁界を印加する構成の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記シ-ルドギャップ側の第1のシ-ルドに非磁性層を介して導電材を埋設し、この導電材と前記磁気抵抗素子とを接触させて、この接触部を前記第1及び第2の電極部としたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
IPC (2件)：
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