特許
J-GLOBAL ID：200903019917979098
半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008236
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204809
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 屈折型光受光素子又は導波路型光受光素子において、ファイバとの光結合を図る際、容易に高精度で光結合が可能となる光受光素子及びそれを用いた半導体受光装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 光受光層13を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面11を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層13を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにし、かつ、該光入射端面11に対向してV又はU字型の溝を有する屈折型半導体受光素子において、該光入射端面部分及びその近傍が有機物質19で埋められていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにし、かつ、該光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有する屈折型半導体受光素子において、該光入射端面部分及びその近傍が有機物質で埋められていることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2件)：
H01L 31/0232
, H01L 31/10
H01L 31/02 C
, H01L 31/10 A
