特許

J-GLOBAL ID：200903019919045360

超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜、その製造方法および製造装置

発明者： 康 元 南 ,  李 星 翊 ,  崔 銀 美 ,  金 炯 辰
出願人/特許権者： 学校法人浦項工科大学校
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069018
公開番号（公開出願番号）：特開2003-002635
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】 c軸配向性を有する超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜、その製造方法を提供する。【解決手段】 (a)基板上にボロン薄膜を形成する段階と、(b)ボロン薄膜が形成された基板とマグネシウム供給源とを熱処理した後、これらを冷却させる段階とを含むことを特徴とする超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜の製造方法である。本発明によれば、c軸配向性を有する結晶相および優れた超伝導体特性を有する二ホウ化マグネシウム薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

(a)基板上にボロン薄膜を形成する段階と、(b)ボロン薄膜が形成された基板とマグネシウム供給源とを熱処理した後、これらを冷却させる段階とを含むことを特徴とする超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 35/04 ,  C01G 1/00 ,  H01L 39/12 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (4件)：

C01B 35/04 C ,  C01G 1/00 S ,  H01L 39/12 A ,  H01L 39/24 ZAA B

Fターム (11件)：

4G047JA03 ,  4G047JC16 ,  4G047KD10 ,  4G047KG05 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113BA15 ,  4M113BA18 ,  4M113BA29 ,  4M113CA16 ,  4M113CA43

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 二硼化マグネシウム超伝導材の合成
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-564167   出願人：アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション