特許

J-GLOBAL ID：200903019922371162

高耐圧炭化珪素ダイオードおよびその製造方法

発明者： 下井田 良雄 ,  金子 佐一郎 ,  田中 秀明 ,  星 正勝 ,  クライソン トロンナムチャイ ,  三原 輝儀 ,  林 哲也
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297032
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318413
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】高耐圧な炭化珪素ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第一の半導体基体である炭化珪素半導体基体100と、炭化珪素半導体基体100とはバンドギャップの異なる第二の半導体層である多結晶シリコン層3からなるヘテロ接合101とを有し、炭化珪素半導体基体100の第一主面側に低濃度N型の多結晶シリコン層3が堆積されており、前記第一主面と対向する前記炭化珪素半導体基体100の第二主面側に金属電極4が形成されている。

請求項（抜粋）：

第一の半導体基体と、前記第一の半導体基体とはバンドギャップの異なる第二の半導体層からなるヘテロ接合を有することを特徴とする高耐圧ダイオード。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/91 H ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 F

Fターム (25件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD23 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• SiC半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-268602   出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
• 特開昭63-156367
  
• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257993   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-156367
  
• 特開昭63-156367