特許

J-GLOBAL ID：200903019925976960

基板処理装置

発明者： 檜山 真 ,  竹林 雄二
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280377
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 基板へのパーティクルの付着を低減できるとともに、反応ガスを大量に流して高速成膜を実現する。【解決手段】 基板処理装置は、処理室13に設けた1対の電極14、15間に高周波電力を印加して、上電極15を介して処理室13に供給した反応ガスをプラズマ化させて、下電極14に載置した基板Wを処理する。このような装置の下電極14と対向する上電極15の表面に、複数の凹部27を細密充填構造に配列する。複数の凹部27の各凹部27内に反応ガスを供給するガス供給孔24を設ける。複数の凹部27間の電極表面26にも反応ガスを供給するガス供給孔24を設ける。

請求項（抜粋）：

処理室に設けた1対の電極間に高周波電力を印加して、1対の電極のうちの一の電極を介して前記処理室に供給した反応ガスをプラズマ化させて、他の電極に載置した基板を処理する基板処理装置において、前記他の電極と対向する一の電極の表面に複数の凹部を設け、前記複数の凹部の各凹部内に前記反応ガスを供給するガス供給孔を設け、前記複数の凹部間の電極表面にも前記反応ガスを供給するガス供給孔を設けたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/302 C

Fターム (31件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030EA05 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030KA46 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045BB09 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF11 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EK09