特許

J-GLOBAL ID：200903019929920978

不揮発性メモリアレイ

発明者： 荒木 裕太 ,  冨田 泰弘 ,  立川 尚久 ,  春山 星秀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222879
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 閾値電圧の収束性つまり閾値電圧のばらつきと書き込み/消去時間のばらつき低減を図り、信頼性を確保しつつ高速プログラムを実現する。【解決手段】 1ビットに対するメモリセル内に複数のフローティングゲート型トランジスタを配し、それぞれのゲートどうし、ドレインどうし、ソースどうしを並列接続することによって、閾値電圧の収束、書き込み/消去時間の短縮を図る。

請求項（抜粋）：

メモリアレイの構成単位であるメモリセルが、並列接続された複数のトランジスタで構成されていることを特徴とする不揮発性メモリアレイ。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  G11C 16/04 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 621 A ,  G11C 17/00 622 Z ,  G11C 17/00 623 Z ,  H01L 29/78 371

Fターム (28件)：

5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AC03 ,  5B025AE00 ,  5F001AB08 ,  5F001AD05 ,  5F001AD14 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF05 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083ER22 ,  5F083JA04 ,  5F083KA08 ,  5F083KA13 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA20 ,  5F083LA21 ,  5F101BB05 ,  5F101BD04 ,  5F101BD31 ,  5F101BE02 ,  5F101BE07 ,  5F101BF01