特許

J-GLOBAL ID：200903019929932054

不揮発性メモリ半導体装置及びその製造方法

発明者： 山田 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189010
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135267
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 フローティングゲート(FG)を有する不揮発性メモリは、FGの形状のばらつきの影響を受けることがあったので、FGの形状の影響のない不揮発性メモリ半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ?@フローティングゲート(FG)3を有する不揮発性メモリ半導体装置において、FG3の両側端にSiO2 、SiN等の絶縁物質や、ポリSi、a-Si等の導電物質によりスペーサ6を形成する。?A基板10上にFG3を形成し、スペーサ形成物質を形成後、エッチバックすることによりFG3の両側端にサイドウォール状のスペーサ6を形成する。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを有する不揮発性メモリ半導体装置において、フローティングゲートの両側端にスペーサを形成したことを特徴とする不揮発性メモリ半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G