特許
J-GLOBAL ID:200903019932348428
自己クリーニングフォーカスリング
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-159809
公開番号(公開出願番号):特開平11-074099
出願日: 1998年05月01日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】 反応性ガスの濃度を基板表面全体に対して実質的に均一に与え、基板に隣接する面への汚染物や残留物の堆積物を低減する装置及び方法。【解決手段】 一具体例では、本発明は、プラズマの中で基板を処理するためのプロセスチャンバを備えている。基板を支持するための支持体と、チャンバ内にプロセスガスを分散ないし散布させるためのガスディストリビュータと、プロセスガスからプラズマを生成するためのプラズマジェネレータとを備えている。自己クリーニング複合体フォーカスリングが基板の周りにあり、これは、プラズマを基板の方へ向けるためのフォーカシング面を有する誘電バリアと、誘電バリアの中にあって電気を供給することによりプラズマを誘電バリアのフォーカシング面の方へと引き付ける導体部材とを備えている。
請求項(抜粋):
プラズマの中で基板を処理するためのプロセスチャンバであって、該チャンバは、(a)基板を支持する支持体と、(b)プロセスガスを該チャンバ内に散布するガスディストリビュータと、(c)プロセスガスからプラズマを生成するプラズマジェネレータと、(d)基板の周囲の複合体のフォーカスリングとを備え、該複合体フォーカスリングは、プラズマを基板の方に向けるためのフォーカシング面を有する誘電バリアと、誘電バリアの中にあって電気量を供給することによりプラズマを誘電バリアのフォーカシング面の方へと引き付け、基板処理中に該フォーカシング面上への堆積物の形成を低減する、導電部材とを備えるプロセスチャンバ。
IPC (6件):
H05H 1/46
, C23C 16/50
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (6件):
H05H 1/46 L
, C23C 16/50
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
前のページに戻る