高放熱性能を持つ発光ダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松純 , 小松秀岳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366166
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200347
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】半導体装置等に有用な高熱伝導率のヒートシンク及びその製造方法を提供すること。【解決手段】発光ダイオードをダイヤモンド-金属系ヒートシンク/p型電極/AlN-GaN系半導体層/n型電極からなる積層構造とし、前記ヒートシンクを、粒子表面にIVa族元素から選ばれた一種以上からなる金属Aの炭化物を主成分とする反応層が形成されたダイヤモンド粒子が、Ag、Cu、Au、Al、Mgより選ばれた一種以上からなる金属B中に分散した組織とする。ダイヤモンドはヒートシンク全体の35〜80vol%を占めるようにし、ダイヤモンドの平均粒径を10μm以上、60μm未満とする。これにより、ヒートシンクの室温での熱伝導率が300W/mK以上とすることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド-金属系ヒートシンク/p型電極/AlN-GaN系半導体層/n型電極からなる積層構造を持つ発光ダイオードであって、該ヒートシンクは、粒子表面にIVa族元素から選ばれた一種以上からなる金属Aの炭化物を主成分とする反応層が形成されたダイヤモンド粒子が、Ag、Cu、Au、Al、Mgより選ばれた一種以上からなる金属B中に分散した組織を持ち、ダイヤモンドがヒートシンク全体の35〜80vol%を占め、室温での熱伝導率が300W/mK以上であることを特徴とする高放熱性能を持つ発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L23/373

FI (3件)：

H01L33/00 N , H01L33/00 C , H01L23/36 M

Fターム (16件)：

5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB08 , 5F036BC01 , 5F036BD01 , 5F036BD03 , 5F036BD16 , 5F041AA04 , 5F041AA33 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041DA19 , 5F041DA33 , 5F041DA35 , 5F041DB08

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