特許
J-GLOBAL ID：200903019934320687
フォトコンダクタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099443
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294810
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、フォトコンダクタ(Photoconductor)に関し、特に高感度化と高速応答化とを実現したMSM(Metal-Semiconductor-Metal)フォトコンダクタを提供する。【解決手段】 MSMフォトコンダクタは、半導体基板10と、半導体基板10の上に所定の波長の光が照射された場合に導電率が増加する光伝導半導体薄膜層20と、光伝導半導体薄膜層20の上に形成されて互いに所定の間隔を隔てて近接し、かつ、前記光を透過させる第一及び第二の電極用半導体薄膜層30、31とを備える。
請求項（抜粋）：
光が照射されることにより導電率が増加するフォトコンダクタであって、半導体基板上に形成され、所定の波長の光が照射された場合に導電率が増加する光伝導半導体薄膜層と、前記光伝導半導体薄膜層の上に形成され、所定の間隔を隔てて互いに近接する第一及び第二の電極用半導体薄膜層と、前記第一及び第二の電極用半導体薄膜層の上にそれぞれ形成された第一及び第二の電極とを備えることを特徴とするフォトコンダクタ。
Fターム (6件)：
5F088AA11
, 5F088AB07
, 5F088BA02
, 5F088DA05
, 5F088FA01
, 5F088FA05
