特許
J-GLOBAL ID：200903019942324705
希土類元素ドープSi材料およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-132846
公開番号（公開出願番号）：特開平9-295891
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】発光効率が高く、光デバイスへの応用が可能な希土類元素ドープSi材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】超微結晶により形成されたSi材料に、希土類元素をドープし、上記超微結晶により形成されたSi材料の可視発光と上記希土類元素の赤外および可視発光とを発現できるようにしたものである。高純度のアモルファスSi薄膜の中に希土類元素をイオン注入し、希土類元素の原子を核にして希土類元素ドープSi材料を製造したり、レーザー・アブレーションを用いて、希土類元素添加のSiターゲットから直接的に、希土類元素ドープSi材料を製造したりすることができる。
請求項（抜粋）：
超微結晶により形成されたSi材料に、希土類元素をドープし、前記超微結晶により形成されたSi材料の可視発光と前記希土類元素の赤外および可視発光とを発現できることを特徴とする希土類元素ドープSi材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 28/00
, C30B 29/06 B
