炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-235303
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164571
出願日： 2008年09月12日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

【課題】炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板2と、バッファ層21と、活性層(エピタキシャル層3、p型層4、およびn+領域5、6)とを備える。バッファ層21は、基板2上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層は、バッファ層21上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層におけるマイクロパイプ密度は基板2におけるマイクロパイプ密度より低い。また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[0001]である転位の密度は、基板2における当該転位の密度より高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板と、前記基板上に形成され、炭化ケイ素からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、炭化ケイ素からなる活性層とを備え、前記活性層におけるマイクロパイプ密度は前記基板におけるマイクロパイプ密度より低く、前記活性層における、バーガーズベクトルの向きが[0001]である転位の密度は、前記基板における前記転位の密度より高い、炭化ケイ素半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/161 , H01L 29/78 , H01L 21/205 , H01L 21/336 , H01L 29/12 , H01L 29/861 , H01L 29/04 , H01L 21/20

FI (9件)：

H01L29/161 , H01L29/78 301B , H01L21/205 , H01L29/78 301Q , H01L29/78 658Z , H01L29/78 652T , H01L29/91 F , H01L29/04 , H01L21/20

Fターム (40件)：

5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045HA16 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BH33 , 5F140BH43 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ26 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CE02 , 5F152LL03 , 5F152LN03 , 5F152LN08 , 5F152LN11 , 5F152LN21 , 5F152MM01 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM07 , 5F152NN05 , 5F152NN27 , 5F152NP02 , 5F152NQ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第01/018872号パンフレット

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