特許
J-GLOBAL ID：200903019957000019
炭化シリコン単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-520112
公開番号（公開出願番号）：特表平10-507734
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：
【要約】CVDプロセス又は昇華プロセスにおいて、SiC単結晶のドーピングにその分子中で少なくとも1個のホウ素原子が少なくとも1個の炭素原子に化学的に結合されている有機ホウ素化合物を使用する。有利な有機ホウ素化合物はトリアルキルホウ素である。
請求項（抜粋）：
化学的気相析出(CVD)法により基板上にホウ素(B)でドープされた単結晶炭化シリコンを製造する方法において、a)シリコン(Si)と炭素(C)を供給するための少なくとも1種類の作用ガス、並びにb)ホウ素を供給するための、その分子中で少なくとも1個の炭素原子が少なくとも1個のホウ素原子と化学的に結合されている少なくとも1種類の有機ホウ素化合物を使用し、またc)基板における成長温度を少なくとも1000°Cに調整するホウ素(B)でドープされた単結晶炭化シリコンの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, C23C 16/42
