特許
J-GLOBAL ID:200903019964358301
多積層基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-535876
公開番号(公開出願番号):特表2001-511951
出願日: 1998年02月13日
公開日(公表日): 2001年08月14日
要約:
【要約】多層数(LLC)基板(20a,20b)を積層する方法が、各基板(20a,20b)を通る第1および第2バイアの形成を含む。導電路(21a,21b,25a,25b,22a,22b,28a,28b)は各バイアを介して形成され、およびポスト(40,42)は各バイア上に形成され、電気的に各導電路(21a,21b,25a,25b,22a,22b,28a,28b)に接続される。開口を有する非流動性付着層(46)はLLC基板(20a,20b)間で提供され、ポスト(40,42)はこの開口を介して互いに対向する。LLC基板(20a,20b)は、非流動性付着層(46)を介して圧締され、機械的に結合し、ポスト(40,42)は互いに隣接する。同時に、ポスト(40,42)は開口内において電気的に互いに結合される。
請求項(抜粋):
多層数(LLC)基板を相互接続する方法であって、該方法は以下の工程を含む: それぞれが上面および底面を有し、第1および第2LLCの基板を提供する工程; 該第1LLC基板中の第1バイアおよび該第2LLC基板中の第2バイアを形成する工程であって、該第1および第2バイアが、各該上面および底面間において各該第1および第2LLC基板を通して延びる、工程; 各該上面および底面間に該第1および第2バイアのそれぞれを介して導電路を形成する工程; 該第1バイアを覆った該第1LLC基板の該上面上の第1ポストであって、該第1バイアを介して形成される該導電路に電気的に接続される、第1ポストと、該第2バイアを覆った該第2LLC基板の該上面上の第2ポストであって、該第2バイアを介して形成される該導電路に電気的に接続される、第2ポストとを形成する工程; 開口を有する非流動性接着剤層を提供する工程; 該第1および第2ポストが該非流動性薄膜付着層中で開口を介して互いに対向するように、該第1および第2LLC基板間に該非流動性付着層を配置する工程;および 該第1および第2LLC基板を該非流動性付着層を介して圧締し、該非流動性薄膜付着層が該第1および第2LLC基板、および該第1および第2ポストアバットに互いに付着的に結合され;同時に 該ポストを互いに電気的に結合する工程。
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