特許
J-GLOBAL ID：200903019966556550
高密度YIG多結晶フェライトの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093807
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279108
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】気孔率の低く酸素欠陥の少ない高密度YIG多結晶フェライトを提供する。【構成】YIGフェライト原料組成物を仮焼する仮焼工程と、この仮焼物を用いた成型体を酸素分圧が20%以上で炉内圧力4〜10気圧の雰囲気下1200°C以上で焼成する焼成工程を有する高密度YIG多結晶フェライトの製造方法。【効果】高密度YIG多結晶フェライトを提供できるので、高周波帯域におけるアイソレータやサーキュレータといった非可逆線路用デバイスに用いると、挿入損失を低減することができる。
請求項（抜粋）：
酸化第二鉄、酸化イットリウムを含有するYIGフェライト原料組成物を酸素存在雰囲気において仮焼する仮焼工程と、該仮焼工程で得られた仮焼物を用いて得られた成型体を酸素分圧が酸素濃度で20%以上となり炉内圧力が4〜10気圧となる雰囲気下において1200°C以上で焼成する焼成工程を有する高密度YIG多結晶フェライトの製造方法。
IPC (2件)：
C04B 35/40
, G02F 1/09 501
