特許

J-GLOBAL ID：200903019967522757

シリカ系光デバイス及び光電子デバイスの製造方法

発明者： バジレンコ、マイケル・ヴイ ,  グロス、マーク ,  ガウジャ、エリック ,  チュ、パク・リン
出願人/特許権者： ユニサーチ・リミテッド
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-531351
公開番号（公開出願番号）：特表平11-503840
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】本発明は、光デバイスの製造方法、特に光電子集積デバイスの製造方法、並びに光電子デバイスに関する。プラズマCVD法(PECVD)を使って、シリコンの中に製造される電子デバイス上に、シリカの中に集積される光デバイスを堆積させる。比較的低温を使用し、1.50〜1.55μmの波長領域における光デバイスの導波路損失を減らすために、窒素を存在させることなく堆積方法を実施する。シリカの中の光導波路、及びシリコンの中の光子トランスデューサを組み入れる集積構造体から成る光デバイスを開示している。

請求項（抜粋）：

シリカの中に製造される光素子及び半導体基板の中に製造される電子素子から成る光電子集積装置の製造方法において、プラズマCVD法(PECVD)により光素子を半導体基板上に形成することを特徴とする光電子集積装置の製造方法。