特許

J-GLOBAL ID：200903019969834853

高温超伝導体薄膜の微細加工方法

発明者： 一本松 正道
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 蔦田 璋子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343757
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【構成】 以下のA〜E工程からなる高温超伝導体薄膜の微細加工方法。A.基板10の上に高温超伝導体薄膜12を形成する工程。B.この高温超伝導体薄膜12の上にインシュレーター薄膜14を形成する工程。C.有機フォトレジストを用いたリソグラフィにより、このインシュレーター薄膜14に前記高温超伝導体薄膜12まで貫通しない凹部18を形成する工程。D.前記有機フォトレジストを除去する工程。E.全面をイオンエッチングすることにより、前記インシュレーター薄膜14の凹部18およびこの凹部18に対応する部分の高温超伝導体薄膜12を除去する工程。【効果】 本発明によれば、超伝導体薄膜の表面および側面に変質部が形成されることなく超伝導体薄膜を微細加工することができる。

請求項（抜粋）：

以下の工程からなる高温超伝導体薄膜の微細加工方法。A.基板上に高温超伝導体薄膜を形成する工程。B.この高温超伝導体薄膜上にインシュレーター薄膜を形成する工程。C.有機フォトレジストを用いたリソグラフィにより、このインシュレーター薄膜に前記高温超伝導体薄膜まで貫通しない凹部を形成する工程。D.前記有機フォトレジストを除去する工程。E.全面をイオンエッチングすることにより、前記インシュレーター薄膜の凹部およびこの凹部に対応する部分の高温超伝導体薄膜を除去する工程。

IPC (4件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565