特許

J-GLOBAL ID：200903019973094066

化合物半導体のエッチング方法

発明者： 高橋 圭三 ,  田中 進
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-083388
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253400
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 ホトレジストでパターニングされた表面が疎水性の化合物半導体基板をエッチングする際、被エッチング面に気泡が付着せず、均一でかつ清浄なエッチング面を得ることができるエッチング方法を提供する。【構成】 化学式CnHmCOOH(n=1〜3、m=n+2)で表される直鎖形のカルボン酸と過酸化水素水の水溶液でなるエッチング液で、化合物半導体をエッチングする。

請求項（抜粋）：

化学式CnHmCOOH(n=1〜3、m=n+2)で表されるカルボン酸と過酸化水素水の水溶液でエッチングすることを特徴とする化合物半導体のエッチング方法。

IPC (3件)：

C30B 33/10 ,  C23F 1/30 ,  C30B 29/42

FI (3件)：

C30B 33/10 ,  C23F 1/30 ,  C30B 29/42