特許

J-GLOBAL ID：200903019973349331

非可逆回路素子

発明者： 鈴木 和明 ,  大波多 秀典 ,  倉橋 孝秀
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102170
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283821
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 小型化可能で温度特性に優れた非可逆回路素子を提供する。【解決手段】 本発明の非可逆回路素子は、磁気回転子が、(YXR1-X)3(FeYM1-Y)5+ZO12(ただし、RはCa、Bi、Gdおよび希土類元素の1種以上を表し、MはAl、V、Co、In、Zr、Sn、Ga、Mn、Si、GeおよびTiの1種以上を表す。)と表したとき、X=1〜0.2Y=1〜0.6Z=-0.005〜0.005である酸化物磁性材料を含み、 外部磁石が残留磁束密度の温度係数が-0.15%/°C以上0%/°C未満の磁石であり、 容量部がPbAZrBO3と表したとき、A/B=0.98〜1.1である酸化物を主組成とする非可逆回路素子。

請求項（抜粋）：

磁気回転子が、(YXR1-X)3(FeYM1-Y)5+ZO12(ただし、RはCa、Bi、Gdおよび希土類元素の1種以上を表し、MはAl、V、Co、In、Zr、Sn、Ga、Mn、Si、GeおよびTiの1種以上を表す。)と表したとき、X=1〜0.2Y=1〜0.6Z=-0.005〜0.005である酸化物磁性材料を含み、外部磁石が残留磁束密度の温度係数が-0.15%/°C以上0%/°C未満の磁石であり、容量部がPbAZrBO3と表したとき、A/B=0.98〜1.1である酸化物を主組成とする非可逆回路素子。

IPC (3件)：

H01F 1/34 ,  H01P 1/36 ,  H01P 1/383

FI (3件)：

H01F 1/34 J ,  H01P 1/36 A ,  H01P 1/383 A