特許

J-GLOBAL ID：200903019976371109

酸化ニオブ焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット

発明者： 齋藤 渉
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149144
公開番号（公開出願番号）：特開2002-338354
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】破損が発生しやすく、相対密度が小さい。【解決手段】酸化ニオブ含有量が99.9重量%以上、相対密度が90%以上及び平均結晶粒子径が5〜20μmとする。

請求項（抜粋）：

酸化ニオブ含有量が99.9重量%以上、相対密度が90%以上及び平均結晶粒径が5〜20μmであることを特徴とする酸化ニオブ焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/495 ,  C23C 14/34 ,  H04N 5/72

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  H04N 5/72 A ,  C04B 35/00 J

Fターム (10件)：

4G030AA20 ,  4G030BA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA11 ,  4G030GA29 ,  4K029BC08 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5C058DA01