特許
J-GLOBAL ID：200903019976587969
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-169421
公開番号（公開出願番号）：特開2004-011007
出願日： 2002年06月11日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】基板を加熱せずに炭化ハフニウム薄膜を形成する。【解決手段】本発明の成膜方法によれば、アーク放電により蒸着材料31の側面から放出される粒子のうち、電荷質量比の小さい正の荷電粒子は、アーク電流によって発生する磁界によってその進行方向を基板に向かって曲げられる。他方、中性粒子81や、電荷質量比の小さい荷電粒子84は、磁界で曲げられる率が少ないので、基板方向には飛行せず、アノード電極32の内周面に付着するので、基板に到達しない。このように、本発明によれば、電荷質量比の大きい、活性の高いイオン化されたハフニウム粒子のみが基板に到達するので、基板を加熱しなくてもハフニウム粒子と有機ガスとが反応し、炭化ハフニウムの薄膜が形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ハフニウムからなり、少なくとも先端と側面とを有する形状に成形された蒸着材料の側面の近傍に、アノード電極を配置し、
前記蒸着材料の先端と対向する位置に基板を配置し、
前記基板と前記アノード電極と前記蒸着材料とを真空雰囲気において、前記基板と前記蒸着材料との間であって、前記基板の近傍位置に有機ガスを供給しながら、前記蒸着材料の側面と前記アノード電極との間にアーク放電を発生させ、前記蒸着材料の側面からハフニウム粒子を放出させ、
前記ハフニウム粒子のうち、荷電粒子の進行方向を、前記アーク放電によって生じた電流で、前記基板側に向け、前記荷電粒子を前記基板に到達させ、前記荷電粒子と前記有機ガスとを反応させ、前記基板表面に炭化ハフニウム薄膜を成膜する成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/24 F
, C23C14/06 B
4K029BA02
, 4K029BA55
, 4K029CA01
, 4K029DB03
, 4K029DB08
, 4K029DB17
, 4K029EA03
審査官引用 (3件)
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特開平1-263265
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特開平2-066168
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薄膜形成装置および薄膜形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-347430
出願人：工業技術院長
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