MOSFETおよびMOSFETの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353066
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168330
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】ゲート長が短く、ゲート酸化膜の厚さが薄いMOSFETにおいて、ドレイン-チャネル間トンネルリーク電流を生じ難くする。【解決手段】以下の方法で、ソース・ドレイン領域7の内側にLDD領域またはエクステンション領域8を有する構造の、nチャネル型MOSFETを得る。先ず、p型シリコン基板1の上に、ゲート酸化膜21を介して、ポリシリコンからなるゲート電極3を形成する。次に、このゲート電極3の表面を湿式酸化する。これにより、ゲート電極3の両側面にシリコン酸化膜41が形成され、ゲート酸化膜21の両側部21a,21bが膨張する。次に、この状態で、シリコン基板1上のゲート電極3の両脇となる領域に、n型の不純物をイオン注入法でドーピングする。次に、ゲート電極3の両側面にサイドウォールスペーサ6を形成して、その外側となる領域に、n型の不純物をさらにイオン注入法でドーピングする。

請求項（抜粋）：

ソース・ドレイン領域の内側にLDD領域またはエクステンション領域を有する構造のMOSFETにおいて、ゲート酸化膜の両側部の厚さをT1、中心部の厚さをT2としたとき、T1とT2は下記の(1)式を満たすことを特徴とするMOSFET。1.2×T2≦T1≦1.9×T2....(1)

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 L

Fターム (13件)：

5F040DA00 , 5F040DA11 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040ED09 , 5F040EF01 , 5F040EF02 , 5F040FA03 , 5F040FA05 , 5F040FA12 , 5F040FA16 , 5F040FA19 , 5F040FB04

前のページに戻る