特許

J-GLOBAL ID：200903019981060502

メモリのセル構造及びメモリデバイス

発明者： 前田 浩 ,  井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375809
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189431
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 多値化データを保存可能なインピーダンス相変化膜を利用したメモリを提供する。【解決手段】 有機材料7としてインピーダンス相変化膜を適用し、このインピーダンス相変化膜が持つヒステリシス特性を利用するべく、1メモリセル内において有機材料の膜厚を変えたり、電極殿接触面積を変える構造とし、書込電圧VWをヒステリシス特性におけるインピーダンス状態変移点を境に設定することで、1メモリセルに記憶保持可能な情報を多値化(1ビットを超える情報を記憶)することができる。

請求項（抜粋）：

電極間にインピーダンス相変化膜が設けられてなるメモリのセル構造であって、前記電極間の1メモリセル内のインピーダンス相変化膜が複数の領域から構成されてなる多値情報を記録可能なメモリのセル構造。

IPC (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 51/00

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/28

Fターム (5件)：

5F083FZ07 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083ZA21