特許

J-GLOBAL ID：200903019981869778

半導体基材の作製方法

発明者： 山方 憲二 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292257
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101998
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 薄膜が割れたり、剥がれたり、また基体が大きく反ったりすることなく透明絶縁性基体上にシリコン単結晶薄膜を形成する。【構成】 SiO2 を主成分とする透明絶縁性基体121表面に、無支持のシリコン単結晶薄膜102を貼り合わせ、後に熱処理を施す。

請求項（抜粋）：

SiO2 を主成分とする透明絶縁性基体表面に、無支持のシリコン単結晶薄膜を貼り合わせ、後に熱処理を施すことを特徴とする半導体基材の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12