特許
J-GLOBAL ID：200903019982787643
熱的安定ダイオードレーザ構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160898
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190981
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ダイオードレーザ空洞の温度を安定させるための新規な手段を提供し、これにより、該レーザ空洞から放射されるパワー及び放射光の波長を安定させる。【構成】 熱的安定ダイオードレーザ構造は、一つの導電形の第1の閉込め層14及び基体12と、活性層16と、反対導電形の第2の閉込め層18及び接点層20とを備えている。不規則化領域24が接点層から第1の閉込め層まで延びてダイオードレーザ空洞26を形成し、抵抗領域28が不規則化領域内に形成される。各ダイオードレーザ空洞と整合する接点層上の個別接点がレーザ空洞を通じて基体上の接点に電流を注入し、このレーザ構造の縁を通るコヒーレント光を放射させる。抵抗領域と整合する接点層上の個別接点が抵抗領域を通じて基体上の接点に電流を注入し、熱を発生させる。抵抗領域は加熱体ストリップ32を形成し、相隣る加熱体ストリップは、相隣る不規則化領域間にあるレーザ空洞内に熱を保持する。
請求項（抜粋）：
基体上に堆積された第1の半導体閉込め層を備え、前記第1の閉込め層及び前記基体は同じ導電形を有し、更に、前記第1の閉込め層上に堆積された活性半導体層を備え、前記活性層はレーザ光発生条件の下で光波の発生及び伝播を提供し、更に、前記活性層上に堆積された第2の半導体閉込め層を備え、前記第2の閉込め層は前記第1の閉込め層及び前記基体に対する反対導電形を有し、更に、前記第2の閉込め層上に堆積された半導体接点層を備え、前記接点層は前記第2の閉込め層と同じ導電形を有し、更に、前記第2の閉込め層及び前記活性層を通り且つ前記第1の閉込め層を少なくとも部分的に通って延びる少なくとも2つの不規則化領域を備え、前記不規則化領域は前記第2の閉込め層に対する反対導電形を有し、更に、前記不規則化領域の各々内に形成された抵抗領域と、相隣る前記不規則化領域間に形成された少なくとも1つのレーザ空洞と、前記少なくとも1つのダイオードレーザ空洞の各々と整合して前記接点層上に形成された少なくとも1つの接点と、前記抵抗領域の各々上に形成された少なくとも1つの接点と、前記基体上に形成された少なくとも1つの接点とを備えて成り、前記ダイオードレーザ空洞と整合する前記少なくとも1つの接点と前記少なくとも1つの基体接点との間で注入される電流は前記ダイオードレーザ空洞からの光放射を引き起こし、前記抵抗領域と整合する前記少なくとも1つの接点と前記基体接点との間で注入される電流は前記抵抗領域からの熱発生を引き起こし、相隣る前記不規則化領域上の相隣る前記抵抗領域から発生される熱は前記相隣る不規則化領域間に形成された前記ダイオードレーザ空洞内に一定温度を保持するために用いられることを特徴とする熱的安定ダイオードレーザ構造。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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