特許
J-GLOBAL ID：200903019982801980

電子デバイスの製造方法

発明者：
梅田 和男

梅田 和男 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307151
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115576
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体膜又は高誘電体膜を含む素子の近傍に残留した水分子に起因する、強誘電体膜又は高誘電体膜の特性劣化を防止する。 【解決手段】 強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜110を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Arエアロゾル洗浄、CO2 洗浄、超臨界状態のCO2 による洗浄又はUV洗浄等のドライ洗浄を用いる。または、該洗浄工程において、実質的に水分を含まない有機溶剤等の洗浄液を用いる。
請求項（抜粋）：
絶縁性金属酸化物膜を含む素子を有する電子デバイスの製造方法であって、前記絶縁性金属酸化物膜を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程においてドライ洗浄を用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (4件)：
H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/10 621 Z
Fターム (22件)：
5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004EA34 ,  5F083AD00 ,  5F083FR02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083NA08 ,  5F083PR00 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (7件)
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