特許

J-GLOBAL ID：200903019986328767

C4をめっきして銅スタッドとする方法

発明者： シブリアン・イー・ウゾー ,  ダニエル・シー・エーデルステイン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003342
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274208
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 マスクを使用せずに第1の金属に第2の金属を直接めっきする方法を提供する。【解決手段】 少なくとも1つの金属フィーチャとこの金属フィーチャおよび基板を覆う少なくとも1つの絶縁層とを含む半導体基板を提供する。少なくとも1つの絶縁層中に少なくとも1つの凹部を形成し、それによりこの金属フィーチャの少なくとも一部分を露出させる。この絶縁層および金属フィーチャの露出部分の上に少なくとも1つの導電性バリア層を形成する。この少なくとも1つのバリア層の上に第1の金属のめっきシード層を形成する。このめっきシード層の上にフォトレジスト層を付着させる。フォトレジスト層とめっきシード層の、少なくとも1つの凹部の外にある部分を除去する。この少なくとも1つの凹部中に残ったフォトレジストを除去する。バリア層を利用して電流を運び、第2の金属を凹部内のめっきシード層に電気めっきする。

請求項（抜粋）：

マスクを使用せずに第1の金属に第2の金属を直接めっきする方法であって、少なくとも1つの金属フィーチャと、前記金属フィーチャおよび前記基板を覆う少なくとも1つの絶縁層とを含む半導体基板を提供するステップと、前記少なくとも1つの絶縁層中に少なくとも1つの凹部を形成し、これにより前記金属フィーチャの少なくとも一部分を露出させるステップと、前記絶縁層および前記金属フィーチャの前記露出部分の上に、少なくとも1つの導電性バリア層を形成するステップと、前記少なくとも1つのバリア層の上に第1の金属のめっきシード層を形成するステップと、前記めっきシード層の上にフォトレジスト層を付着させるステップと、前記フォトレジスト層および前記めっきシード層の、前記少なくとも1つの凹部の外にある一部分を除去するステップと、前記少なくとも1つの凹部中に残ったフォトレジストを除去するステップと、前記凹部中の前記めっきシード層に第2の金属を電気めっきするステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (4件)：

H01L 21/92 604 R ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/92 604 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭52-155055
  
• 特開平3-190240