特許

J-GLOBAL ID：200903019987236190

窒化物半導体から成る単体基板の製造方法

発明者： 蝶々 一幸 ,  桂木 健
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-135472
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329672
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】支持基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から窒化物半導体の単体基板を貫通転位を低減させ、また厚膜の窒化物半導体として得ることを目的とする。【解決手段】支持基板上にT字形状を有する第1の窒化物半導体層を成長させ、その後、第1の窒化物半導体層の上面、及びT字両翼側面より第2の窒化物半導体層を成長させた後、、ラッピングにより支持基板を除去し、単体基板の窒化物半導体を得る。

請求項（抜粋）：

支持基板上に、部分的に保護膜を形成し、前記支持基板露出部より該露出部の両側にある保護膜上まで成長させてT字状断面を有する第1の窒化物半導体層を形成し、前記保護膜を除去することによりT字両翼の下部に空間を形成し、その後、前記第1の窒化物半導体層の上面、又はT字両翼側面を核として第2の窒化物半導体層を成長させ、平坦な窒化物半導体基板とし、その後、前記第2の窒化物半導体層の上面を土台に固定し、前記支持基板側からラッピングすることにより支持基板を除去し、窒化物半導体から成る単体基板を形成することを特徴とする窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (58件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DB01 ,  5F045GH09 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29