特許
J-GLOBAL ID：200903019990503360

炭素または炭素を主成分とする膜

発明者：
伊藤 健二

伊藤 健二 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-135983
公開番号（公開出願番号）：特開2003-027237
出願日： 1988年03月26日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：
【要約】【課題】 ダイヤモンドに近い高硬度のアモルファス状の炭素膜の密着性を高める。【解決手段】 被形成面を紫外線の照射と、紫外線により活性化された酸素、または紫外線により制裁されたオゾンにより、不要な有機物を除去し、清浄な表面に炭素膜を成膜することにより密着性を高める。さらに、プラズマCVDを用いて炭素膜を形成する場合は、被形成面に近い側では、成膜時のセルフバイアスを低くすることで密着性を高める。そして、このセルフバイアスを連続的または段階的に高めることで表面側の硬度を高め、ダイヤモンドに近いめ表面にる
請求項（抜粋）：
炭素または炭素を主成分とする非晶質な膜であり、有機物が分解除去された被形成面に設けられていることを特徴とする前記炭素または炭素を主成分とする膜。
IPC (4件)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/72
FI (6件)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 Z ,  G11B 5/187 F ,  G11B 5/187 K ,  G11B 5/187 T ,  G11B 5/72
Fターム (32件)：
4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AC23B ,  4G146AD02 ,  4G146AD20 ,  4G146AD26 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA14 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC24 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC38B ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030LA20 ,  5D006AA02 ,  5D111BB28 ,  5D111BB37 ,  5D111BB48 ,  5D111FF01 ,  5D111FF39 ,  5D111KK07
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 特開昭60-070178
  • 特開昭61-174376
  • 特開昭63-009104
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM