特許

J-GLOBAL ID：200903019991318087

窒化アルミニウム基板の製造方法

発明者： 秋山 晋
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000960
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183255
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 窒化アルミニウム基板上に形成された導体回路の密着性を容易にかつ確実に向上させる。【構成】 窒化アルミニウムを主成分とするグリーンシート1上に、タングステンペーストPを用いて導体回路3を形成する。その後、グリーンシート1の周囲に、窒化アルミニウム焼結体製のセッターS1 ,S2 を配置すると共に、グリーンシート1とペーストPとを加熱する。その際、両者1,Pは窒化アルミニウムを焼結できる温度(1800°C)より20°C〜80°C高い温度に加熱される。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウムを主成分とするグリーンシート(1)に導電性金属からなるペースト(P)を用いて導体回路(3)を形成した後、そのグリーンシート(1)と前記ペースト(P)とを同時に加熱することによりグリーンシート(1)を焼結させると共にペースト(P)を定着させる窒化アルミニウム基板の製造方法において、導体回路(3)が形成された前記グリーンシート(1)の周囲に窒化アルミニウム製のセッター(S1 ,S2 )を配置すると共に、窒化アルミニウムを焼結できる温度より20°C〜80°C高い温度にてグリーンシート(1)と前記ペースト(P)とを加熱することを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。

IPC (5件)：

H05K 3/12 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/46

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 C