特許

J-GLOBAL ID：200903019996721998

III族窒化物結晶の結晶成長方法および結晶成長装置

発明者： 岩田 浩和 ,  皿山 正二 ,  山根 久典 ,  島田 昌彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358808
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160399
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】 高品質で実用的な大きさのIII族窒化物結晶を作製する。【解決手段】 昇温中、結晶成長容器12の上部ではGaN18が分解し、III族金属(Ga)と窒素が生成される。そして、生成されたIII族金属と窒素は、メッシュ14を通して結晶成長容器12の下部のNa融液17に供給され、Na融液17中で反応し、GaNの結晶が成長する。

請求項（抜粋）：

アルカリ金属を含む融液中で、III族金属原料と窒素原料を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の結晶成長方法において、III族窒化物をIII族金属と窒素に分解した後、III族窒化物結晶を再成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 11/12

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 11/12

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EG25 ,  4G077EH07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-277045   出願人：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典