特許
J-GLOBAL ID：200903019998545712
スパッタターゲットとその製造方法、およびそれを用いて成膜した高純度チタン膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335268
公開番号（公開出願番号）：特開平9-176844
出願日： 1990年07月12日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】 素子機能に悪影響を及ぼす不純物量が極めて少なく、かつ均一性に優れたTi系薄膜を再現性よく形成することを可能にしたスパッタターゲットが求められている。【解決手段】 酸素の含有量が350ppm以下、Fe、NiおよびCrの各元素の含有量が15ppm 以下、NaおよびK の各元素の含有量が0.5ppm以下であると共に、材料特性としての絞りが 70%以上であり、かつ熱伝導率が16W/m K 以上である高純度チタン材を任意の形状に加工してなるスパッタターゲットである。
請求項（抜粋）：
酸素の含有量が350ppm以下、Fe、NiおよびCrの各元素の含有量が15ppm 以下、NaおよびK の各元素の含有量が0.5ppm以下であると共に、材料特性としての絞りが 70%以上であり、かつ熱伝導率が16W/m K 以上である高純度チタン材を任意の形状に加工してなることを特徴とするスパッタターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C22B 34/12 103
, C22C 14/00
, H01L 21/60 301
C23C 14/34 A
, C22B 34/12 103
, C22C 14/00 Z
, H01L 21/60 301 F
