特許
J-GLOBAL ID:200903020000117273

ポジ型フオトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-104541
公開番号(公開出願番号):特開平5-297582
出願日: 1992年04月23日
公開日(公表日): 1993年11月12日
要約:
【要約】【目的】 特に半導体デバイスの製造において、高い解像力を有し、フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク寸法を正確に再現し、1μm以下の線幅のパターンにおいて、高いアスペクト比を有する断面形状のレジストパターンを生成し得、パターン断面の側壁が垂直に近い形状のパターンを生成し得、広い現像ラチチユードを有し、かつ、得られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フオトレジスト組成物を提供する。【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5- (及び/又は-4-)スルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹脂を含有する。【化1】
請求項(抜粋):
下記一般式(I)で表されるポリヒドロキ シ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/又は-4-)スルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】
IPC (2件):
G03F 7/022 ,  H01L 21/027

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