半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-220613
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303250
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 ZnO基板上に良好な結晶性を持つ III-V族窒化物半導体を形成できるようにし、それによって半導体デバイスの動作特性及び信頼性を向上させる。【解決手段】半絶縁性ZnO基板1の(000-1)面(酸素面)上に、チャネル層となるInN層2が形成されている。ZnO基板1の表面(酸素面)の全面に亘って、該表面を構成する酸素原子が窒素原子によって置換されている。すなわち、ZnO基板1の表面に対して窒化処理が施されており、該表面は窒化面(改質面)8となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛基板上に III-V族窒化物半導体層が形成された半導体装置であって、前記酸化亜鉛基板における前記 III-V族窒化物半導体層が形成されている表面を構成する複数の原子は、 III族原子及びV族原子のうちの少なくとも一方の原子によって置換されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L21/203 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/732 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (9件)：

H01L21/203 M , H01L33/00 C , H01S5/323 , H01L29/80 B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 301B , H01L29/72 P , H01L31/04 E

Fターム (88件)：

5F003AZ03 , 5F003BA92 , 5F003BH05 , 5F003BH08 , 5F003BM02 , 5F003BP32 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA64 , 5F041CA66 , 5F041CA77 , 5F051AA08 , 5F051BA11 , 5F051CB14 , 5F051DA03 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5F051GA20 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103LL01 , 5F103PP03 , 5F103RR05 , 5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110QQ11 , 5F140AA01 , 5F140BA06 , 5F140BA10 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BC19 , 5F140BD07 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BH21 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CF00 , 5F173AA06 , 5F173AA16 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AP10 , 5F173AQ10 , 5F173AR82

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